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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorBerrones, Sofía-
dc.contributor.authorBarcia Macías, Ronald Marcelo-
dc.contributor.authorCajas Buenaño, Mildred-
dc.contributor.authorMorocho Caiza, Andrés-
dc.date.accessioned2022-06-03T17:18:18Z-
dc.date.available2022-06-03T17:18:18Z-
dc.date.issued2020-06-15-
dc.identifier.urihttp://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15770-
dc.descriptionEste documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB por sus siglas en inglés) a los dispositivos de potencia, determinando sus características eléctricas. Las herramientas utilizadas para este estudio fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico junto con el analizador de parámetros Keithley 4200-SCSn para la caracterización corriente-voltaje y un sistema de medición de ruido de baja frecuencia para caracterización de canales conductivos en dispositivos electrónicos. Los resultados indican un mayor nivel de ruido flicker después de la aplicación del estrés sobre los MOSFETs estudiados, que se relacionan con cambios en el voltaje de umbral producto del estrés aplicado, correlacionando directamente dichos parámetros.es_ES
dc.description.abstractThis document presents the study of the effect of thermal and electrical stress on power semiconductor devices through low-frequency noise measurements. A High Temperature Reverse Bias test (HTRB) was applied to the power devices, determining their electrical characteristics before and after the HTRB. The tools used for this study were a variable voltage source up to 1200V designed for the application of electrical stress, a temperature module consisting of a miniheater and a control module designed for the application of thermal stress together with the Keithley 4200-SCSn parameter analyzer for current-voltage characterization and a low frequency noise measurement system for characterization of conductive channels in electronic devices. The results indicate a higher level of flicker noise in the considered MOSFETs after stress application that is related to changes in the threshold voltage because of the applied stress, directly correlating these parameters.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherEscuela Superior Politécnica de Chimborazoes_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.subjectRUIDO ELECTRÓNICOes_ES
dc.subjectCARACTERIZACIÓN ELÉCTRICAes_ES
dc.subjectFIABILIDAD EN DISPOSITIVOS DE POTENCIAes_ES
dc.subjectMEDICIÓN DE RUIDO DE BAJA FRECUENCIAes_ES
dc.subjectELECTRONIC NOISEen
dc.subjectELECTRICAL CHARACTERIZATIONen
dc.subjectPOWER DEVICES FIABILITYen
dc.subjectLOW FREQUENCY NOISE MEASUREMENTen
dc.titleAplicación de mediciones de ruido de baja frecuencia para el análisis de efectos de estrés térmico y eléctrico en dispositivos de potencia.es_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/es_ES
Aparece en las colecciones: 2020 Vol. 2 (enero - junio)

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